Як ми всі знаємо, методи, які зазвичай використовуються у вакуумному покритті, - це вакуумна транспірація та іонне розпилення.Яка різниця між транспіраційним покриттям і покриттям напиленням БагатоЛюди є такі питання.Давайте поділимося з вами різницею між транспіраційним покриттям і напиленням
Вакуумна транспіраційна плівка полягає в нагріванні даних, що підлягають транспірації, до фіксованої температури за допомогою резистивного нагріву або електронного променя та лазерного обстрілу в середовищі зі ступенем вакууму не менше 10-2Па, щоб енергія теплової вібрації молекул або атомів у даних перевищує енергію зв’язку поверхні, так що багато молекул або атомів транспіруються або збільшуються, і безпосередньо осідають їх на підкладку з утворенням плівки.Покриття іонним напиленням використовує високий рух позитивних іонів, створюваних газовим розрядом під дією електричного поля, для бомбардування мішені як катода, так що атоми або молекули в мішені виходять і осідають на поверхні покритої заготовки, утворюючи потрібну плівку.
Найбільш часто використовуваним методом вакуумного транспіраційного покриття є метод резистентного нагрівання.Його перевагами є проста конструкція джерела тепла, низька вартість і зручна експлуатація.Його недоліки полягають у тому, що він не підходить для тугоплавких металів і середовищ, стійких до високих температур.Електронно-променеве нагрівання та лазерне нагрівання можуть подолати недоліки резистивного нагрівання.Під час нагрівання електронним пучком сфокусований електронний промінь використовується для безпосереднього нагрівання даних із оболонкою, а кінетична енергія електронного променя перетворюється на теплову енергію, щоб забезпечити транспірацію даних.Лазерне нагрівання використовує високопотужний лазер як джерело нагріву, але через високу вартість потужного лазера його можна використовувати лише в невеликій кількості дослідницьких лабораторій.
Навички розпилення відрізняються від навичок вакуумної транспірації.Розпилення відноситься до явища, коли заряджені частинки бомбардують назад до поверхні (мішені) тіла, так що тверді атоми або молекули викидаються з поверхні.Більшість випромінюваних частинок є атомними, які часто називають розпиленими атомами.Розпорошені частинки, які використовуються для обстрілу мішеней, можуть бути електронами, іонами або нейтральними частинками.Оскільки іони легко отримати необхідну кінетичну енергію під дією електричного поля, іони в основному вибираються як оболонкові частинки.
Процес розпилення заснований на тліючому розряді, тобто іони, що розпилюються, походять від газового розряду.Різні навички розпилення мають різні методи тліючого розряду.Діодне напилення постійного струму використовує тліючий розряд постійного струму;Тріодне напилення — тліючий розряд, підтримуваний гарячим катодом;ВЧ-напилення використовує ВЧ-тліючий розряд;Магнетронне розпилення - це тліючий розряд, керований кільцевим магнітним полем.
У порівнянні з вакуумним транспіраційним покриттям напилення має багато переваг.Якщо будь-яка речовина може бути розпилена, особливо елементи та сполуки з високою температурою плавлення та низьким тиском пари;Адгезія між напиленою плівкою та підкладкою хороша;Висока щільність плівки;Товщину плівки можна контролювати, а повторюваність хороша.Недоліком є те, що обладнання складне і вимагає високовольтних пристроїв.
Крім того, поєднанням методу транспірації та методу розпилення є іонне покриття.Перевагами цього методу є міцна адгезія між плівкою та підкладкою, висока швидкість осадження та висока щільність плівки.
Час публікації: травень-09-2022