Як ми всі знаємо, вакуумне випаровування та іонне напилення зазвичай використовуються у вакуумному покритті.Яка різниця між напиленням і напиленням?Далі з нами поділяться технічні експерти RSM.
Вакуумне випаровування покриття полягає в нагріванні матеріалу, який випаровується, до певної температури за допомогою резистивного нагріву або електронного променя та лазерного бомбардування в середовищі зі ступенем вакууму не менше 10-2Па, щоб енергія теплових коливань молекул або атомів у матеріалі перевищує енергію зв’язку поверхні, так що велика кількість молекул або атомів випаровується або сублімується та безпосередньо осідає на підкладці з утворенням плівки.Покриття іонним напиленням використовує високошвидкісний рух позитивних іонів, утворених газовим розрядом під дією електричного поля, для бомбардування мішені як катода, так що атоми або молекули в мішені вириваються й осідають на поверхні покритої заготовки, утворюючи потрібну плівку.
Найбільш часто використовуваним методом нанесення покриття вакуумним випаровуванням є резистентне нагрівання, яке має переваги простої структури, низької вартості та зручності експлуатації;Недоліком є те, що він не підходить для тугоплавких металів і діелектричних матеріалів, стійких до високих температур.Електронно-променеве нагрівання та лазерне нагрівання можуть подолати недоліки резистивного нагрівання.При нагріванні електронним променем сфокусований електронний промінь використовується для безпосереднього нагрівання бомбардованого матеріалу, а кінетична енергія електронного променя перетворюється на теплову енергію, яка змушує матеріал випаровуватися.Лазерне нагрівання використовує високопотужний лазер як джерело нагріву, але через високу вартість потужного лазера наразі його можна використовувати лише в кількох дослідницьких лабораторіях.
Технологія напилення відрізняється від технології вакуумного випарювання.«Розпилення» означає явище, коли заряджені частинки бомбардують тверду поверхню (мішень) і змушують тверді атоми або молекули вилітати з поверхні.Більшість випромінюваних частинок знаходяться в атомарному стані, який часто називають розпиленими атомами.Розпорошені частинки, які використовуються для бомбардування мішені, можуть бути електронами, іонами або нейтральними частинками.Оскільки іони легко прискорити під дією електричного поля для отримання необхідної кінетичної енергії, більшість із них використовують іони як бомбардовані частинки.Процес розпилення заснований на тліючому розряді, тобто іони розпилення походять від газового розряду.Різні технології напилення використовують різні режими тліючого розряду.Діодне напилення постійного струму використовує тліючий розряд постійного струму;Тріодне напилення — тліючий розряд, підтримуваний гарячим катодом;ВЧ-напилення використовує ВЧ-тліючий розряд;Магнетронне розпилення - це тліючий розряд, керований кільцевим магнітним полем.
У порівнянні з вакуумним напиленням покриття напиленням має багато переваг.Наприклад, будь-яка речовина може бути розпилена, особливо елементи та сполуки з високою температурою плавлення та низьким тиском пари;Адгезія між напиленою плівкою та підкладкою хороша;Висока щільність плівки;Товщину плівки можна контролювати, а повторюваність хороша.Недоліком є те, що обладнання складне і вимагає високовольтних пристроїв.
Крім того, поєднання методу випаровування та методу напилення є іонним покриттям.Перевагами цього методу є міцне зчеплення отриманої плівки з підкладкою, висока швидкість осадження та висока щільність плівки.
Час публікації: 20 липня 2022 р